IPB80N06S207ATMA4

Bildet er for referanse, vennligst kontakt oss for å få det virkelige bildet

Produsentdel	IPB80N06S207ATMA4
Produsent	Rochester Electronics
Beskrivelse	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2
Kategori	diskrete halvlederprodukter
Familie	transistorer - fets, mosfets - single
Livssyklus:	New from this manufacturer.
Leveranse:	DHL FedEx Ups TNT EMS
innbetaling	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Dataark	IPB80N06S207ATMA4 PDF

Tilgjengelighet

På lager	35 000
Enhetspris	$ 1.02000

IPB80N06S207ATMA4 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPB80N06S207ATMA4 Spesifikasjoner

Type	Beskrivelse
serie:	OptiMOS™
pakke:	Bulk
delstatus:	Active
fet type:	N-Channel
teknologi:	MOSFET (Metal Oxide)
drenere til kildespenning (vdss):	55 V
strøm - kontinuerlig drenering (id) @ 25°c:	80A (Tc)
drivspenning (maks rds på, min rds på):	10V
rds på (maks) @ id, vgs:	6.3mOhm @ 68A, 10V
vgs(th) (maks) @ id:	4V @ 180µA
portlading (qg) (maks) @ vgs:	110 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
inngangskapasitans (ciss) (maks) @ vds:	3.4 pF @ 25 V
fet funksjon:	-
effekttap (maks.):	250W (Tc)
Driftstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
monteringstype:	Surface Mount
leverandørenhetspakke:	PG-TO263-3-2
pakke / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.