IPP80N06S2L09AKSA2

Bildet er for referanse, vennligst kontakt oss for å få det virkelige bildet

Produsentdel	IPP80N06S2L09AKSA2
Produsent	Rochester Electronics
Beskrivelse	OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Kategori	diskrete halvlederprodukter
Familie	transistorer - fets, mosfets - single
Livssyklus:	New from this manufacturer.
Leveranse:	DHL FedEx Ups TNT EMS
innbetaling	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Dataark	IPP80N06S2L09AKSA2 PDF

Tilgjengelighet

På lager	27 000
Enhetspris	$ 1.01000

IPP80N06S2L09AKSA2 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPP80N06S2L09AKSA2 Spesifikasjoner

Type	Beskrivelse
serie:	OptiMOS™
pakke:	Bulk
delstatus:	Active
fet type:	N-Channel
teknologi:	MOSFET (Metal Oxide)
drenere til kildespenning (vdss):	55 V
strøm - kontinuerlig drenering (id) @ 25°c:	80A (Tc)
drivspenning (maks rds på, min rds på):	4.5V, 10V
rds på (maks) @ id, vgs:	8.5mOhm @ 52A, 10V
vgs(th) (maks) @ id:	2V @ 125µA
portlading (qg) (maks) @ vgs:	105 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
inngangskapasitans (ciss) (maks) @ vds:	2.62 pF @ 25 V
fet funksjon:	-
effekttap (maks.):	190W (Tc)
Driftstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
monteringstype:	Through Hole
leverandørenhetspakke:	PG-TO220-3-1
pakke / etui:	TO-220-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.